前幾天英特爾CEO在接受采訪(fǎng)時(shí)表示自家的制程工藝雖然現(xiàn)在不如友商，但是未來(lái)就會(huì)成為遙遙領(lǐng)先的工藝，起碼領(lǐng)先友商尤其是臺(tái)積電2年。這讓臺(tái)積電這樣的晶圓代工廠商十分地不滿(mǎn)，表示英特爾這是在吹牛，通過(guò)內(nèi)部評(píng)估，臺(tái)積電的制程工藝要比英特爾更強(qiáng)。當(dāng)然在IEDM 2023國(guó)際電子元件會(huì)議上，臺(tái)積電自己也公布了最新的路線(xiàn)圖，稱(chēng)將會(huì)在2023年實(shí)現(xiàn)1nm制程的量產(chǎn)，從而滿(mǎn)足一塊封裝芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)1萬(wàn)億個(gè)晶體管的壯舉。

目前臺(tái)積電的最新工藝為N3也就是3nm，已經(jīng)應(yīng)用在A17處理器上，主要是增加了能耗比，而到了2025年至2027年，工藝制程就準(zhǔn)備沖擊N2也就是2nm，而這也是臺(tái)積電與英特爾大打口水仗的制程，單芯片能夠達(dá)到1000億個(gè)晶體管，而整個(gè)芯片的封裝最高可以達(dá)到5000億個(gè)晶體管，已經(jīng)遠(yuǎn)超現(xiàn)在的芯片。為了實(shí)現(xiàn)如此強(qiáng)大的制程，臺(tái)積電將會(huì)采用EUV極紫外光刻、新材料、金屬氧化物ESL等工藝，以及更加先進(jìn)的封裝技術(shù)。隨后臺(tái)積電開(kāi)始學(xué)習(xí)英特爾的命名方法，將制程工藝命名為A14、A10，應(yīng)該這里的A就是埃的意思，也就是0.1nm。

從臺(tái)積電給出的路線(xiàn)圖來(lái)看，終極工藝應(yīng)該是A10也就是1nm工藝，在這個(gè)工藝上，臺(tái)積電希望能夠達(dá)成單核心2000億個(gè)晶體管的壯舉，而整個(gè)封裝芯片更是可以達(dá)到1萬(wàn)億個(gè)晶體管。目前半導(dǎo)體領(lǐng)域中，英偉達(dá)的計(jì)算卡H100擁有單芯片800億個(gè)晶體管，也就是說(shuō)A10工藝能夠?qū)崿F(xiàn)的晶體管數(shù)量是H100的12.5倍，而多芯片則是AMD的MI300X，擁有1350億個(gè)晶體管，A10工藝的晶體管數(shù)量是其7.4倍。

而從目前給出的路線(xiàn)圖來(lái)看，能夠和臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的似乎只有英特爾，之前英特爾也表示將會(huì)在2030年實(shí)現(xiàn)一萬(wàn)億個(gè)晶體管的壯舉，似乎這兩家是針?shù)h相對(duì)。不過(guò)作為目前最為尖端的半導(dǎo)體工藝，制程的跳票并不是什么罕見(jiàn)的事情，加上制造成本的快速提升，屆時(shí)如果能在2023年看到A14工藝，估計(jì)就謝天謝地了。