盡管三星電子和臺積電正在努力提高3nm工藝制程的良率，但目前來看可能良品率的問題仍未徹底解決，而這不僅可能會造成性能問題的風險，讓消費者被迫承擔風險支付更高價格，或許也會影響到未來的訂單競爭。

雖然目前三星已經向中國交付了一批3nm GAA（環繞式柵極工藝）芯片，但新的報道顯示這些芯片的真實形式并不完整，缺乏邏輯芯片中的SRAM，雖然3nm GAA優于FinFET（鰭式場效應晶體管），但也更難生產，目前良率只有約50%。有業內人士透露，“要贏得高通等大客戶明年的3nm移動芯片訂單，良品率至少需要提高70%以上。”

生產3nm芯片的三星韓國華城工廠

事實上如果產量良率及產量不能提升，而高通又不得不被迫支付所有晶圓的費用，那么高通驍龍芯片的價格必然存在水漲船高的風險，這就會導致其智能手機合作伙伴和消費者承擔后續的一系列結果，反過來促使高通轉而選擇臺積電，這就形成了一個惡性循環。

臺積電這邊的情況也不容樂觀，作為目前為數不多擁有3nm工藝制程芯片量產記錄的公司，臺積電3nm工藝制程芯片同樣存在良率未能達標的問題，有業內人士表示，臺積電3nm工藝制程芯片采用了與上一代相同的FinFET結構，這可能是其“未能控制”過熱問題的原因，臺積電計劃在明年量產N3E、N3P、N3X、N3AE等提高良品率降低成本。

除此之外，還有半導體業內人士透露，三星、臺積電和英特爾也都在積極準備發展2nm工藝，但與3nm相比，其性能和效率提升并不明顯，因此3nm工藝芯片的需求或許還將繼續持續，想要跳過3nm可能性不高。